- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录446 > IRFR2905ZTRRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR/U2905ZPbF
1000
Duty Cycle = Single Pulse
100
0.01
Allowed avalanche Current vs
avalanche pulsewidth, tav
assuming ? Tj = 25°C due to
avalanche losses. Note: In no
10
1
0.1
0.05
0.10
case should Tj be allowed to
exceed Tjmax
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
60
TOP Single Pulse
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
50
40
30
20
10
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 36A
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T jmax . This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT jmax is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. P D (ave) = Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I av = Allowable avalanche current.
7. ? T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed
0
25
50
75
100
125
150
175
T jmax (assumed as 25°C in Figure 15, 16).
t av = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t av ·f
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 16. Maximum Avalanche Energy
Vs. Temperature
www.irf.com
Z thJC (D, t av ) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = D T/ Z thJC
I av = 2 D T/ [1.3·BV·Z th ]
E AS (AR) = P D (ave) ·t av
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IRFR310TRLPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFR320TRRPBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRFR3412TRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFR3418TRPBF
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
IRFR3504TRPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRFR3706CTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR3706TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR3707TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
相关代理商/技术参数
IRFR310
功能描述:MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3103
功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TR
功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRL
功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRR
功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR310A
制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFR310B
制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
IRFR310BTF
功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube